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SIS413DN-T1-GE3
型号
2646403
品牌
VISHAY
参数
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
手册
SIS413DN-T1-GE3 数据表
单价
¥
4.9000
(含税)
梯价
¥4.9000
1-10件
¥4.3375
10-25件
¥4.0875
25-100件
¥2.9625
100-500件
¥2.4750
500-1000件
¥2.1125
1000件以上
供应商现货库存不足,可定期货,请点击联系客服
商品详情
信息更新于:2021-03-16 16:24
晶体管极性
:
P沟道
漏源电压, Vds
:
30V
电流, Id 连续
:
18A
在电阻RDS(上)
:
0.0076ohm
晶体管封装类型
:
PowerPAK 1212
晶体管安装
:
表面安装
电压 @ Rds测量
:
10V
阈值电压 Vgs
:
2.5V
功耗 Pd
:
52W
针脚数
:
8引脚
工作温度最高值
:
150°C
产品范围
:
TrenchFET Series
汽车质量标准
:
-
MSL
:
MSL 1 -无限制
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